第584章 丧心病狂的远芯

但这也意味着，它将极有可能提前遭到技术封锁。

需要说明一点的是，按照波长和线宽，理论上，g线光源也是可以达到节点的极限，但由于波长缘故，越是要达到极限，工艺也就越是复杂——如今宏芯的光刻机已经进厂半年多，华晶那边依旧在磨合着依旧很成熟的微米工艺。再加上g线光刻胶目前最高也仅支持到微米，是以……它未来不可期。

并且就连远芯，制程推进也是在尼康i线365nm光刻机的基础上进行，虽然理论最小工艺节点依旧是微米。但波长和线宽的优势，使得其更容易达到节点。

此外，早在去年，intel就推出了基于微米制程工艺的PentiumMMX，轻而易举地就回到了性能王座的同时，也彰显了其晶圆厂强大的制程工艺实力。

根据小道消息，intel的微米工艺也在突破当中。

相比之下，德远这边，还在为微米工艺打着攻坚战。

与此同时，尼康那边已经采用248nm的KrF准分子激光作为下一代光刻机的光源，紧接着便是193nm的ArF——也就是大名鼎鼎的DUV。届时，凭借多重曝光技术，DUV将会把制程节点提高到65纳米的干式光刻极限。

再往后……便是浸没式技术的天下了。

如果说，还有什么能够让苏远山有信心和勇气去直面光刻机的未来，恐怕就是“多灾多难的”双工件台以及目前八字都没一撇的浸没式光刻技术了。